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本文標(biāo)題:晶圓襯底表面沉積生成單晶層的工藝

信息分類(lèi):行業(yè)動(dòng)態(tài)　新聞來(lái)源：未知發(fā)布時(shí)間：2017-10-31 22:12:17

晶圓襯底表面沉積生成單晶層的工藝

外延沉積

外延沉積是一種可以在晶圓襯底表面沉積生成單晶薄層的工藝

。晶圓襯底起著籽晶層的作用，通常籽晶層和外延層的晶體結(jié)構(gòu)是

一樣的�，F(xiàn)在，外延生長(zhǎng)工藝已廣泛用于分立器件和集成電路的生

產(chǎn)。在微電子學(xué)領(lǐng)域，最常見(jiàn)的是用它制備相對(duì)襯底的隔離面型結(jié)

，換種說(shuō)法，它是結(jié)隔離技術(shù)，并可形成掩埋層的工藝。技術(shù)制造

的電路具有較高的性能，如較低的寄生容抗、較高的開(kāi)關(guān)速度等。

外延沉積中使用最普遍的技術(shù)是氣相外延(VPE)和分子束外延(MBE)

。

外延反應(yīng)爐的設(shè)計(jì)有多種不同的方案，其中三種常用的類(lèi)型：

臥式、立式和桶式外延反應(yīng)爐，無(wú)論哪種類(lèi)型，它們都有一個(gè)反應(yīng)

室，在室內(nèi)通過(guò)相應(yīng)的化學(xué)反應(yīng)形成外延生長(zhǎng)層。為使反應(yīng)正常持

續(xù)地進(jìn)行，還需要配備加熱器(如RF加熱線(xiàn)圈)，以及供活性氣體和

排除廢氣的系統(tǒng)。